SiC基板上に作製した窒化物半導体デバイスの現状と将来 (特集:次世代半導体デバイスとしてのSiC単結晶を用いたオプトメカトロニクス技術)

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SiC基板上に作製した窒化物半導体デバイスの現状と将来

(特集:次世代半導体デバイスとしてのSiC単結晶を用いたオプトメカトロニクス技術)

国立国会図書館請求記号
Z15-362
国立国会図書館書誌ID
8618849
資料種別
記事
著者
牧本 俊樹
出版者
東久留米 : 光学工業技術協会
出版年
2006-12
資料形態
掲載誌名
光技術コンタクト = Optical and electro-optical engineering contact 44(12) (通号 517) 2006.12
掲載ページ
p.699~708
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資料種別
記事
著者・編者
牧本 俊樹
著者標目
タイトル(掲載誌)
光技術コンタクト = Optical and electro-optical engineering contact
巻号年月日等(掲載誌)
44(12) (通号 517) 2006.12
掲載巻
44
掲載号
12
掲載通号
517