プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM (シリコン材料・デバイス)

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プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM

(シリコン材料・デバイス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
9605790
資料種別
記事
著者
薮内 誠ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2008-07
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 108(139) 2008.7.17・18
掲載ページ
p.17~21
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
薮内 誠
新居 浩二
塚本 康正 他
シリーズタイトル
並列タイトル等
A 45nm low-standby-power embedded SRAM with improved immunity against process and temperature variations
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
108(139) 2008.7.17・18
掲載巻
108
掲載号
139