ナノテク最前線 ナノ...

ナノテク最前線 ナノ秒レーザによる単結晶シリコンの内部改質層形成機構の解析

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ナノテク最前線 ナノ秒レーザによる単結晶シリコンの内部改質層形成機構の解析

国立国会図書館請求記号
Z16-2199
国立国会図書館書誌ID
9688272
資料種別
記事
著者
大村 悦二ほか
出版者
東京 : 日本工業出版
出版年
2008-11
資料形態
掲載誌名
光アライアンス / 光アライアンス編集委員会 編 19(11) (通号 218) 2008.11
掲載ページ
p.40~44
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
大村 悦二
熊谷 正芳
タイトル(掲載誌)
光アライアンス / 光アライアンス編集委員会 編
巻号年月日等(掲載誌)
19(11) (通号 218) 2008.11
掲載巻
19
掲載号
11
掲載通号
218
掲載ページ
40~44