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書誌情報
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- 資料種別
- 記事
- 著者・編者
- 諏訪 智之荒谷 崇樋口 正顕 他
- シリーズタイトル
- 並列タイトル等
- Study on compositional transition layers at gate dielectrics/Si interface by using angle-resolved x-ray photoelectron spectroscopy
- タイトル（掲載誌）
- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
- 巻号年月日等（掲載誌）
- 108(236) 2008.10.9・10
- 掲載巻
- 108
- 掲載号
- 236