炭化けい素半導体MOS構造のγ線照射効果とそのメカニズム (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)

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炭化けい素半導体MOS構造のγ線照射効果とそのメカニズム

(ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)

Call No. (NDL)
Z16-1852
Bibliographic ID of National Diet Library
4392169
Material type
記事
Author
吉川 正人ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会エレクトロニクス ソサイエティ
Publication date
1998-01
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編 81(1) 1998.01
Publication Page
p.140~150
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Paper

Material Type
記事
Author/Editor
吉川 正人
大島 武
伊藤 久義 他
Periodical title
電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編
No. or year of volume/issue
81(1) 1998.01
Volume
81
Issue
1
Pages
140~150